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隨著第二代可擴(kuò)展至強(qiáng)( cascade lake )的推出，英特爾正式提供了基于3d xpoint存儲(chǔ)技術(shù)的自豪的永久存儲(chǔ)器( optane DC永久存儲(chǔ)器)，與ddr4的兼容性及其

根據(jù)路線圖，今后intel在服務(wù)器行業(yè)將有14納米Cooper lake、10納米ice lake，作為長(zhǎng)時(shí)間戰(zhàn)術(shù)產(chǎn)品的自豪的持久內(nèi)存自然也將嚴(yán)格遵循，這是構(gòu)建差異化競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。

據(jù)intel介紹，下一代自豪的永久內(nèi)存與ddr4兼容，下一代與ddr5兼容，但intel沒(méi)有給出具體的時(shí)間表。

考慮到intel路線圖的發(fā)展和ddr5內(nèi)存的普及，第三代自豪的永久內(nèi)存和ddr5內(nèi)存有可能出現(xiàn)在10nm ice lake以后的新一代平臺(tái)上。 也就是說(shuō)，可能要到2022年。

intel還表示，第一代自豪的持久內(nèi)存雖然性能已經(jīng)很高，但由于與ddr4兼容，還是受到后者標(biāo)準(zhǔn)的限制，一根功耗不得超過(guò)18w。

因此，英特爾需要盡可能提高能效，以進(jìn)一步提高自豪的持久內(nèi)存性能，包括制造工藝、電源管理技術(shù)和3d xpoint存儲(chǔ)技術(shù)本身的改進(jìn)。

那么，intel是否要脫離ddr標(biāo)準(zhǔn)，讓不同的接口和規(guī)格等傲慢持久的內(nèi)存走上自己的道路呢？

英特爾沒(méi)有排除這種可能性。 特別是在大客戶(hù)需要更高的性能或更大的容量時(shí)，可以考慮定制特殊版本的自豪內(nèi)存，但目前沒(méi)有確切的計(jì)劃。